Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC012N03LF2SATMA1
ISC012N03LF2SATMA1

ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+48.51 грн
25+43.77 грн
100+36.19 грн
250+33.86 грн
500+32.45 грн
1000+30.78 грн
2500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: ISC012N03LF2SATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ISC012N03LF2SATMA1 за ціною від 30.83 грн до 106.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC012N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN-3538913.pdf TRENCH <= 40V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.43 грн
10+73.52 грн
100+49.73 грн
500+42.15 грн
1000+34.36 грн
2500+32.37 грн
5000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.