Продукція > INFINEON > ISC012N03LF2SATMA1
ISC012N03LF2SATMA1

ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON

Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+49.50 грн
500+41.23 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC012N03LF2SATMA1 за ціною від 30.80 грн до 151.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.78 грн
10+48.10 грн
25+43.43 грн
100+35.90 грн
250+33.59 грн
500+32.19 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4 Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.34 грн
14+62.17 грн
100+49.50 грн
500+41.23 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 ISC012N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC012N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN.pdf TRENCH <= 40V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.30 грн
10+93.21 грн
100+53.57 грн
500+42.50 грн
1000+37.78 грн
2500+34.47 грн
5000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC012N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.78 грн
10+48.10 грн
25+43.43 грн
100+35.90 грн
250+33.59 грн
500+32.19 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon-ISC012N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938c251bd61bd4
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 1280 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1280µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+86.34 грн
14+62.17 грн
100+49.50 грн
500+41.23 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N03LF2SATMA1 Infineon_ISC012N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
ISC012N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.30 грн
10+93.21 грн
100+53.57 грн
500+42.50 грн
1000+37.78 грн
2500+34.47 грн
5000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.