Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC012N04NM6ATMA1
ISC012N04NM6ATMA1

ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC012N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d7a9f746c5301
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+46.27 грн
10000+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 232A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISC012N04NM6ATMA1 за ціною від 49.16 грн до 197.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc012n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC012N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d7a9f746c5301 Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 11160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.57 грн
10+104.51 грн
100+71.31 грн
500+53.60 грн
1000+49.31 грн
2000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc012n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.62 грн
108+131.12 грн
124+113.33 грн
500+89.68 грн
2000+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC012N04NM6_DataSheet_v02_00_EN-2942452.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 INFINEON 3919295.pdf Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 ISC012N04NM6ATMA1 INFINEON 3919295.pdf Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 infineon-isc012n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC012N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 Infineon-ISC012N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017d7a9f746c5301
ISC012N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 232A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
на замовлення 11160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.57 грн
10+104.51 грн
100+71.31 грн
500+53.60 грн
1000+49.31 грн
2000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 infineon-isc012n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC012N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+197.62 грн
108+131.12 грн
124+113.33 грн
500+89.68 грн
2000+80.41 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 Infineon_ISC012N04NM6_DataSheet_v02_00_EN-2942452.pdf
ISC012N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 3919295.pdf
ISC012N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC012N04NM6ATMA1 3919295.pdf
ISC012N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC012N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.001 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.