ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-isc015n06nm5-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC015N06NM5ATMA1
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.41 грн
10+131.68 грн
50+100.71 грн
100+85.15 грн
500+68.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 259A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 188W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm.

Інші пропозиції ISC015N06NM5ATMA1 за ціною від 63.96 грн до 229.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon_isc015n06nm5_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+229.48 грн
10+113.10 грн
100+88.59 грн
500+71.02 грн
1000+69.07 грн
2500+67.79 грн
5000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 INFINEON 4758410.pdf Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5ATMA1 infineon_isc015n06nm5_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.48 грн
10+113.10 грн
100+88.59 грн
500+71.02 грн
1000+69.07 грн
2500+67.79 грн
5000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC015N06NM5ATMA1 4758410.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 259A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.