Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC017N04NM5ATMA1
ISC017N04NM5ATMA1

ISC017N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC017N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції ISC017N04NM5ATMA1 за ціною від 33.98 грн до 124.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC017N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e446d60004 Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.18 грн
10+ 93.78 грн
100+ 74.65 грн
500+ 59.28 грн
1000+ 50.3 грн
2000+ 47.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC017N04NM5ATMA1 ISC017N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC017N04NM5_DataSheet_v02_01_EN-1825665.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.07 грн
10+ 101.03 грн
100+ 70.67 грн
250+ 65.13 грн
500+ 58.92 грн
1000+ 47.95 грн
2500+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
ISC017N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc017n04nm5-datasheet-v02_01-en.pdf 40V MOSFET Power-Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000