ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V

на замовлення 974 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна
3+	121.26 грн
10+	85.51 грн
25+	77.87 грн
100+	65.11 грн
250+	61.31 грн
500+	59.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції ISC025N06LM6ATMA1 за ціною від 56.40 грн до 197.15 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	ISC025N06LM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V	на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	Кількість Ціна 2+ 197.15 грн 10+ 125.56 грн 100+ 77.89 грн 500+ 65.16 грн 1000+ 56.40 грн Мінімальне замовлення: 2 купити В кошику  од. на суму  грн.
	ISC025N06LM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	купити В кошику  од. на суму  грн.