Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC025N08NM5LF2ATMA1
ISC025N08NM5LF2ATMA1

ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC025N08NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59aa4b73be0 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+124.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISC025N08NM5LF2ATMA1 за ціною від 117.39 грн до 370.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-ISC025N08NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59aa4b73be0 Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+187.23 грн
500+144.74 грн
1000+132.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC025N08NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59aa4b73be0 Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.67 грн
10+215.20 грн
100+153.75 грн
500+126.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC025N08NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 6290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.38 грн
10+243.36 грн
100+150.93 грн
500+125.38 грн
1000+124.58 грн
5000+117.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-ISC025N08NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59aa4b73be0 Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+370.88 грн
10+262.48 грн
100+187.23 грн
500+144.74 грн
1000+132.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N08NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc025n08nm5lf2-datasheet-v02_01-en.pdf ISC025N08NM5LF2ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.