Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC026N03L5SATMA1
ISC026N03L5SATMA1

ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISC026N03L5SATMA1 за ціною від 16.49 грн до 89.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 INFINEON 3154697.pdf Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.62 грн
500+23.75 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.53 грн
10+51.55 грн
100+29.53 грн
500+23.61 грн
1000+19.66 грн
5000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 INFINEON 3154697.pdf Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.87 грн
16+52.54 грн
100+34.62 грн
500+23.75 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 ISC026N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988 Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 21409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.60 грн
10+56.73 грн
100+38.04 грн
500+26.86 грн
1000+23.55 грн
2000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 3154697.pdf
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+34.62 грн
500+23.75 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.53 грн
10+51.55 грн
100+29.53 грн
500+23.61 грн
1000+19.66 грн
5000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 3154697.pdf
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.87 грн
16+52.54 грн
100+34.62 грн
500+23.75 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
ISC026N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 21409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+89.60 грн
10+56.73 грн
100+38.04 грн
500+26.86 грн
1000+23.55 грн
2000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC026N03L5SATMA1 Infineon-ISC026N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8afe9860988
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.