Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC027N10NM6ATMA1
ISC027N10NM6ATMA1

ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 217W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC027N10NM6ATMA1 за ціною від 117.59 грн до 518.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC027N10NM6ATMA1 ISC027N10NM6ATMA1 INFINEON 3624255.pdf Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+312.47 грн
250+236.82 грн
1000+187.84 грн
3000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 7417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.72 грн
10+205.25 грн
100+145.27 грн
500+117.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 ISC027N10NM6ATMA1 INFINEON 3624255.pdf Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+518.87 грн
50+312.47 грн
250+236.82 грн
1000+187.84 грн
3000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 3624255.pdf
ISC027N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+312.47 грн
250+236.82 грн
1000+187.84 грн
3000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94
ISC027N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 7417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+322.72 грн
10+205.25 грн
100+145.27 грн
500+117.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 3624255.pdf
ISC027N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+518.87 грн
50+312.47 грн
250+236.82 грн
1000+187.84 грн
3000+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.