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Технічний опис ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 179A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISC030N10NM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ISC030N10NM6ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 179A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISC030N10NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 179A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC030N10NM6ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC030N10NM6ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)