Продукція > INFINEON > ISC030N12NM6ATMA1
ISC030N12NM6ATMA1

ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON


4159881.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+286.71 грн
500+240.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC030N12NM6ATMA1 за ціною від 123.22 грн до 590.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC030N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a79d85386 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.01 грн
10+216.89 грн
100+192.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC030N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.33 грн
10+226.09 грн
100+164.07 грн
500+159.91 грн
1000+159.22 грн
2500+158.53 грн
5000+123.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+590.39 грн
10+395.75 грн
100+286.71 грн
500+240.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC030N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a79d85386 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.