ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 225.31 грн |
| 500+ | 203.65 грн |
| 1000+ | 186.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISC030N12NM6ATMA1 за ціною від 135.93 грн до 412.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC030N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V |
на замовлення 4241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC030N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 3634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC030N12NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 194A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISC030N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
ISC030N12NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |