Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC030N12NM6ATMA1
ISC030N12NM6ATMA1

ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC030N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a79d85386 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+188.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V.

Інші пропозиції ISC030N12NM6ATMA1 за ціною від 146.95 грн до 418.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC030N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a79d85386 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 141µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 60 V
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.68 грн
10+261.00 грн
100+186.65 грн
500+170.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC030N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3084654.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.59 грн
10+269.36 грн
100+195.43 грн
500+190.96 грн
1000+189.47 грн
2500+188.72 грн
5000+146.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc030n12nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 21A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.