| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.02 грн |
| 10+ | 129.55 грн |
| 100+ | 77.89 грн |
| 500+ | 63.98 грн |
| 1000+ | 61.61 грн |
| 2500+ | 59.53 грн |
| 5000+ | 54.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC031N08NM6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V.
Інші пропозиції ISC031N08NM6ATMA1 за ціною від 88.51 грн до 205.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISC031N08NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ISC031N08NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |

