ISC031N08NM6SCATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.91 грн |
| 10+ | 169.99 грн |
| 100+ | 126.20 грн |
| 500+ | 122.02 грн |
| 1000+ | 117.83 грн |
| 2000+ | 113.65 грн |
| 4000+ | 108.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC031N08NM6SCATMA1 Infineon Technologies
OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V.
Інші пропозиції ISC031N08NM6SCATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC031N08NM6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
ISC031N08NM6SCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: PG-WSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |