Продукція > INFINEON > ISC032N12LM6ATMA1
ISC032N12LM6ATMA1

ISC032N12LM6ATMA1 INFINEON


4159882.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+165.06 грн
500+150.20 грн
1000+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC032N12LM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC032N12LM6ATMA1 за ціною від 130.95 грн до 360.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC032N12LM6ATMA1 ISC032N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC032N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf32f4480071 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.89 грн
10+217.72 грн
100+157.18 грн
500+139.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 ISC032N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC032N12LM6_DataSheet_v02_00_EN-3398075.pdf MOSFETs N
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.47 грн
10+256.35 грн
25+217.76 грн
100+158.91 грн
500+131.69 грн
1000+130.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 ISC032N12LM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4159882.pdf Description: INFINEON - ISC032N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 170 A, 0.0032 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+360.65 грн
10+223.65 грн
100+165.06 грн
500+150.20 грн
1000+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc032n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC032N12LM6ATMA1 ISC032N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC032N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baf32f4480071 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.