Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC035N10NM5LF2ATMA1
ISC035N10NM5LF2ATMA1

ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
на замовлення 4471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.49 грн
10+230.85 грн
100+164.15 грн
500+127.36 грн
1000+122.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 217W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC035N10NM5LF2ATMA1 за ціною від 129.05 грн до 450.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC035N10NM5LF2ATMA1 ISC035N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC035N10NM5LF2_DataSheet_v02_01_EN-3368193.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.03 грн
10+256.49 грн
100+159.63 грн
250+158.88 грн
500+140.24 грн
1000+137.25 грн
5000+129.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 ISC035N10NM5LF2ATMA1 Виробник : INFINEON 4032194.pdf Description: INFINEON - ISC035N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 164 A, 0.0035 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+450.19 грн
10+270.28 грн
100+206.69 грн
500+174.05 грн
1000+142.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc035n10nm5lf2-datasheet-v02_01-en.pdf ISC035N10NM5LF2ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC035N10NM5LF2ATMA1 ISC035N10NM5LF2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef Description: ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.