ISC036N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.22 грн |
| 10+ | 58.56 грн |
| 100+ | 38.78 грн |
| 500+ | 28.43 грн |
| 1000+ | 25.87 грн |
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Технічний опис ISC036N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 63W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.
Інші пропозиції ISC036N04NM5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ISC036N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ISC036N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 5647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ISC036N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC036N04NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC036N04NM5ATMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISC036N04NM5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)