| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.92 грн |
| 10+ | 61.03 грн |
| 100+ | 34.68 грн |
| 500+ | 27.21 грн |
| 1000+ | 23.26 грн |
| 2500+ | 22.62 грн |
| 5000+ | 21.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC036N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISC036N04NM5ATMA1 за ціною від 26.65 грн до 121.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISC036N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ISC036N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ISC036N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC036N04NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.12 грн |
| 10+ | 60.32 грн |
| 100+ | 39.95 грн |
| 500+ | 29.29 грн |
| 1000+ | 26.65 грн |
| ISC036N04NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 121.70 грн |
| 11+ | 80.75 грн |
| ISC036N04NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC036N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





