Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC037N03L5ISATMA1
ISC037N03L5ISATMA1

ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+19.30 грн
10000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V.

Інші пропозиції ISC037N03L5ISATMA1 за ціною від 11.98 грн до 53.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC037N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363726.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.38 грн
16+20.91 грн
100+15.44 грн
250+15.22 грн
500+13.96 грн
1000+12.05 грн
5000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.92 грн
10+45.43 грн
100+34.83 грн
500+25.84 грн
1000+20.67 грн
2000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon_ISC037N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363726.pdf
ISC037N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+27.38 грн
16+20.91 грн
100+15.44 грн
250+15.22 грн
500+13.96 грн
1000+12.05 грн
5000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
ISC037N03L5ISATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.92 грн
10+45.43 грн
100+34.83 грн
500+25.84 грн
1000+20.67 грн
2000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.