ISC037N03L5ISATMA1

ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.37 грн
10000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC037N03L5ISATMA1 за ціною від 14.22 грн до 54.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Виробник : INFINEON 3154700.pdf Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.45 грн
500+17.86 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC037N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363726.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 11530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
13+28.17 грн
100+19.05 грн
500+17.51 грн
5000+14.93 грн
10000+14.79 грн
25000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Виробник : INFINEON 3154700.pdf Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.78 грн
26+31.94 грн
100+22.45 грн
500+17.86 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 18934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.12 грн
10+45.60 грн
100+34.95 грн
500+25.93 грн
1000+20.75 грн
2000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N03L5ISATMA1 Виробник : Infineon Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.