ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 150.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V.
Інші пропозиції ISC037N13NM6ATMA1 за ціною від 162.91 грн до 458.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISC037N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V |
на замовлення 5831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISC037N13NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 5441 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| ISC037N13NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V
на замовлення 5831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 422.03 грн |
| 10+ | 271.29 грн |
| 50+ | 213.45 грн |
| 100+ | 182.85 грн |
| 500+ | 166.85 грн |
| ISC037N13NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5441 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 458.95 грн |
| 10+ | 238.29 грн |
| 100+ | 189.19 грн |
| 500+ | 172.67 грн |
| 1000+ | 165.91 грн |
| 2500+ | 162.91 грн |