ISC037N13NM6ATMA1

ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies


ISC037N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V
на замовлення 3780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.87 грн
10+212.02 грн
100+158.99 грн
500+146.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V.

Інші пропозиції ISC037N13NM6ATMA1 за ціною від 128.45 грн до 311.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC037N13NM6ATMA1 ISC037N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03-12-2024_ISC037N13NM6_Rev2.0.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.24 грн
10+231.62 грн
100+151.25 грн
500+141.37 грн
1000+133.01 грн
5000+128.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISC037N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC037N13NM6ATMA1 ISC037N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISC037N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 172A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 68 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.