ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.27 грн |
| 10+ | 35.58 грн |
| 100+ | 23.05 грн |
| 500+ | 16.57 грн |
| 1000+ | 14.58 грн |
| 2000+ | 13.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC045N03L5SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISC045N03L5SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC045N03L5SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
ISC045N03L5SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
ISC045N03L5SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC045N03L5SATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ISC045N03L5SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISC045N03L5SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC045N03L5SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISC045N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC045N03L5SATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)