ISC046N04NM5ATMA1

ISC046N04NM5ATMA1 Infineon Technologies


isc046n04nm5atma1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC046N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V.

Інші пропозиції ISC046N04NM5ATMA1 за ціною від 29.79 грн до 87.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010 Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.46 грн
10000+ 29.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC046N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e494460010 Description: 40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.17 грн
10+ 64.95 грн
100+ 50.5 грн
500+ 40.17 грн
1000+ 32.72 грн
2000+ 30.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
ISC046N04NM5ATMA1 ISC046N04NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC046N04NM5_DataSheet_v02_01_EN-1825726.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 17101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.85 грн
10+ 71.33 грн
100+ 48.09 грн
500+ 40.82 грн
1000+ 31.31 грн
2500+ 31.24 грн
5000+ 29.79 грн
Мінімальне замовлення: 4