Продукція > INFINEON > ISC046N13NM6ATMA1
ISC046N13NM6ATMA1

ISC046N13NM6ATMA1 INFINEON


4334674.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+221.89 грн
250+215.82 грн
1000+193.97 грн
3000+173.85 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC046N13NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ISC046N13NM6ATMA1 за ціною від 131.35 грн до 371.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4334674.pdf Description: INFINEON - ISC046N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 142 A, 0.0043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+299.03 грн
50+221.89 грн
250+215.82 грн
1000+193.97 грн
3000+173.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_03-12-2024_ISC046N13NM6_Rev2.0.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.74 грн
10+225.69 грн
25+190.07 грн
100+162.26 грн
500+155.30 грн
1000+153.76 грн
5000+131.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISC046N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.93 грн
10+238.08 грн
100+169.97 грн
500+152.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISC046N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ISC046N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 68 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.