Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC055N15NM6ATMA1
ISC055N15NM6ATMA1

ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.34 грн
10+278.75 грн
25+256.93 грн
100+218.55 грн
250+207.80 грн
500+201.32 грн
1000+192.78 грн
2500+187.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V.

Інші пропозиції ISC055N15NM6ATMA1 за ціною від 169.38 грн до 406.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC055N15NM6ATMA1 ISC055N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.68 грн
10+309.56 грн
25+239.70 грн
100+209.45 грн
250+192.82 грн
500+182.23 грн
1000+169.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 ISC055N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 ISC055N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.