ISC056N08NM6ATMA1 Infineon Technologies

---

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V

на замовлення 4985 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна
2+	162.73 грн
10+	100.50 грн
100+	68.40 грн
500+	51.28 грн
1000+	47.14 грн
2000+	46.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ISC056N08NM6ATMA1 Infineon Technologies

Інші пропозиції ISC056N08NM6ATMA1 за ціною від 43.18 грн до 163.07 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	ISC056N08NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs IFX FET > 60-80V	на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	Кількість Ціна 2+ 163.07 грн 10+ 103.16 грн 100+ 60.99 грн 500+ 49.86 грн 1000+ 44.99 грн 2500+ 43.18 грн Мінімальне замовлення: 2 купити В кошику  од. на суму  грн.
	ISC056N08NM6ATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 40 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	купити В кошику  од. на суму  грн.