Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC058N04NM5ATMA1
ISC058N04NM5ATMA1

ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+19.85 грн
10000+17.76 грн
15000+17.08 грн
25000+15.30 грн
35000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC058N04NM5ATMA1 за ціною від 19.99 грн до 118.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 INFINEON 3154702.pdf Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.52 грн
500+34.97 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC058N04NM5_DataSheet_v02_01_EN-1825653.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.74 грн
10+52.52 грн
100+33.27 грн
500+28.55 грн
1000+24.95 грн
2500+23.12 грн
5000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013 Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 43368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+50.47 грн
100+33.15 грн
500+24.13 грн
1000+21.88 грн
2000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 ISC058N04NM5ATMA1 INFINEON 3154702.pdf Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.41 грн
12+73.76 грн
100+48.52 грн
500+34.97 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 63A; 42W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 3154702.pdf
ISC058N04NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+48.52 грн
500+34.97 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 Infineon_ISC058N04NM5_DataSheet_v02_01_EN-1825653.pdf
ISC058N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.74 грн
10+52.52 грн
100+33.27 грн
500+28.55 грн
1000+24.95 грн
2500+23.12 грн
5000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013
ISC058N04NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 43368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.26 грн
10+50.47 грн
100+33.15 грн
500+24.13 грн
1000+21.88 грн
2000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 3154702.pdf
ISC058N04NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC058N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 63 A, 4500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+118.41 грн
12+73.76 грн
100+48.52 грн
500+34.97 грн
1000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC058N04NM5ATMA1 Infineon-ISC058N04NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271104011017110e4a6770013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 63A; 42W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.