Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > ISC060N06NM6ATMA1 транзистр

ISC060N06NM6ATMA1 транзистр

Код товару: 221986
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції ISC060N06NM6ATMA1 транзистр за ціною від 23.05 грн до 111.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC060N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.73 грн
10+63.06 грн
50+47.01 грн
100+39.23 грн
500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon_isc060n06nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+111.23 грн
10+51.63 грн
100+39.86 грн
500+31.16 грн
1000+30.93 грн
2500+30.18 грн
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 INFINEON infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ISC060N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf
ISC060N06NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.73 грн
10+63.06 грн
50+47.01 грн
100+39.23 грн
500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 infineon_isc060n06nm6_datasheet_en.pdf
ISC060N06NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 8010 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.23 грн
10+51.63 грн
100+39.86 грн
500+31.16 грн
1000+30.93 грн
2500+30.18 грн
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N06NM6ATMA1 infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC060N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

DMN62D4LFB-7B транзисто
Код товару: 221994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP32D4SFB-7B Транзистор
Код товару: 221984
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SFDE-7 транзистор
Код товару: 221983
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDE-7
Код товару: 191614
Додати до обраних Обраний товар
DMP4047LFDE.pdf
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.