ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.91 грн |
| 10+ | 43.23 грн |
| 25+ | 38.92 грн |
| 100+ | 32.04 грн |
| 250+ | 29.90 грн |
| 500+ | 28.61 грн |
| 1000+ | 27.10 грн |
| 2500+ | 26.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V.
Інші пропозиції ISC060N06NM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC060N06NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V |
на замовлення 3871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| ISC060N06NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.72 грн |
| 10+ | 84.15 грн |
| 100+ | 48.19 грн |
| 500+ | 37.90 грн |
| 1000+ | 32.45 грн |
| 2500+ | 29.34 грн |
| 5000+ | 26.09 грн |