Продукція > INFINEON > ISC060N10NM6ATMA1
ISC060N10NM6ATMA1

ISC060N10NM6ATMA1 INFINEON

3624257.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC060N10NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC060N10NM6ATMA1 за ціною від 66.04 грн до 292.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC060N10NM6_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.57 грн
10+131.31 грн
100+80.35 грн
500+66.68 грн
5000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 INFINEON 3624257.pdf Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.74 грн
10+189.13 грн
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 Infineon_ISC060N10NM6_DataSheet_v02_02_EN.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 3761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+205.57 грн
10+131.31 грн
100+80.35 грн
500+66.68 грн
5000+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 3624257.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+292.74 грн
10+189.13 грн
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.