Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC060N10NM6ATMA1
ISC060N10NM6ATMA1

ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC060N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9b35e3600c3
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.

Інші пропозиції ISC060N10NM6ATMA1 за ціною від 63.47 грн до 276.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC060N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9b35e3600c3 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 14683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+122.89 грн
50+93.62 грн
100+79.00 грн
500+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc060n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+253.33 грн
10+174.39 грн
100+127.57 грн
500+103.03 грн
1000+91.47 грн
2000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc060n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.33 грн
81+174.39 грн
111+127.57 грн
500+103.03 грн
1000+91.47 грн
2000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc060n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+276.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 INFINEON 3624257.pdf Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1 INFINEON 3624257.pdf Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 Infineon-ISC060N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9b35e3600c3
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 14683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.79 грн
10+122.89 грн
50+93.62 грн
100+79.00 грн
500+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 infineonisc060n10nm6datasheetv0202en.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+253.33 грн
10+174.39 грн
100+127.57 грн
500+103.03 грн
1000+91.47 грн
2000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 infineonisc060n10nm6datasheetv0202en.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+253.33 грн
81+174.39 грн
111+127.57 грн
500+103.03 грн
1000+91.47 грн
2000+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 infineonisc060n10nm6datasheetv0202en.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 305000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+276.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 3624257.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC060N10NM6ATMA1 3624257.pdf
ISC060N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC060N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 5100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.