ISC0702NLSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd752aa46df2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+52.33 грн
10000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0702NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ISC0702NLSATMA1 за ціною від 43.49 грн до 192.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC0702NLSATMA1 ISC0702NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC0702NLS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 10629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.10 грн
10+105.37 грн
100+62.45 грн
500+49.55 грн
1000+46.52 грн
2500+45.67 грн
5000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1 ISC0702NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd752aa46df2 Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 10614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
10+119.34 грн
100+81.15 грн
500+60.84 грн
1000+55.91 грн
2000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1 Infineon_ISC0702NLS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 10629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+166.10 грн
10+105.37 грн
100+62.45 грн
500+49.55 грн
1000+46.52 грн
2500+45.67 грн
5000+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0702NLSATMA1 Infineon-ISC0702NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd752aa46df2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
на замовлення 10614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.68 грн
10+119.34 грн
100+81.15 грн
500+60.84 грн
1000+55.91 грн
2000+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.