Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC0703NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1

ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+19.25 грн
15000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 44W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm.

Інші пропозиції ISC0703NLSATMA1 за ціною від 23.49 грн до 126.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 29929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.65 грн
10+49.41 грн
50+36.52 грн
100+30.37 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.16 грн
10+87.49 грн
100+61.01 грн
500+48.25 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.38 грн
162+87.64 грн
231+61.11 грн
500+48.34 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC0703NLS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 INFINEON 3437296.pdf Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 INFINEON 3437296.pdf Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+71.54 грн
100+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 29929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.65 грн
10+49.41 грн
50+36.52 грн
100+30.37 грн
500+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.16 грн
10+87.49 грн
100+61.01 грн
500+48.25 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 infineon-isc0703nls-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+126.38 грн
162+87.64 грн
231+61.11 грн
500+48.34 грн
1000+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon_ISC0703NLS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 5202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 3437296.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 3437296.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+71.54 грн
100+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.