Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC0703NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1

ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+27.84 грн
10000+25.05 грн
15000+24.16 грн
25000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ISC0703NLSATMA1 за ціною від 26.78 грн до 111.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC0703NLS_DataSheet_v02_00_EN-2581289.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.90 грн
10+66.22 грн
25+56.25 грн
100+38.98 грн
500+30.94 грн
1000+27.14 грн
2500+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 33318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+67.65 грн
100+45.07 грн
500+33.21 грн
1000+30.28 грн
2000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6 N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+71.54 грн
100+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon_ISC0703NLS_DataSheet_v02_00_EN-2581289.pdf
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+106.90 грн
10+66.22 грн
25+56.25 грн
100+38.98 грн
500+30.94 грн
1000+27.14 грн
2500+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
ISC0703NLSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 33318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.01 грн
10+67.65 грн
100+45.07 грн
500+33.21 грн
1000+30.28 грн
2000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0703NLSATMA1 Infineon-ISC0703NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd753b066df6
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
50+71.54 грн
100+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.