ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 18.55 грн |
| 10000+ | 16.58 грн |
| 15000+ | 15.93 грн |
| 25000+ | 14.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC0703NLSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISC0703NLSATMA1 за ціною від 18.71 грн до 129.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V |
на замовлення 31048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ISC0703NLSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 44W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm |
на замовлення 3103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ISC0703NLSATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ISC0703NLSATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 31048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.28 грн |
| 10+ | 47.59 грн |
| 100+ | 31.19 грн |
| 500+ | 22.64 грн |
| 1000+ | 20.51 грн |
| 2000+ | 18.71 грн |
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 84.90 грн |
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 129.25 грн |
| 167+ | 84.48 грн |
| 200+ | 83.17 грн |
| 500+ | 54.55 грн |
| 1000+ | 47.83 грн |
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 6900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 44W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - ISC0703NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0058 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC0703NLSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 13, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 71.54 грн |
| 100+ | 61.33 грн |





