ISC073N12LM6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 103.16 грн |
| 500+ | 79.70 грн |
| 1000+ | 70.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC073N12LM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ISC073N12LM6ATMA1 за ціною від 70.67 грн до 234.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC073N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 5575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC073N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC073N12LM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC073N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISC073N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
ISC073N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |