Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC073N12LM6ATMA1
ISC073N12LM6ATMA1

ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V.

Інші пропозиції ISC073N12LM6ATMA1 за ціною від 78.51 грн до 194.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC073N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a53ca5378 Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 60 V
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.91 грн
10+ 144.28 грн
100+ 116.73 грн
500+ 97.37 грн
1000+ 83.37 грн
2000+ 78.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC073N12LM6ATMA1 ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC073N12LM6_DataSheet_v02_00_EN-3084374.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.19 грн
10+ 161.03 грн
25+ 132.1 грн
100+ 112.95 грн
250+ 107 грн
500+ 101.06 грн
1000+ 85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC073N12LM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc073n12lm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній