Продукція > INFINEON > ISC078N12NM6ATMA1
ISC078N12NM6ATMA1

ISC078N12NM6ATMA1 INFINEON

Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+101.14 грн
500+72.39 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC078N12NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC078N12NM6ATMA1 за ціною від 63.86 грн до 231.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC078N12NM6ATMA1 ISC078N12NM6ATMA1 INFINEON Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7 Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.66 грн
10+144.72 грн
100+101.14 грн
500+72.39 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.40 грн
10+140.42 грн
100+97.12 грн
500+73.78 грн
1000+68.20 грн
2000+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC078N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3398012.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.89 грн
10+149.95 грн
100+90.92 грн
500+75.42 грн
1000+72.60 грн
5000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7
ISC078N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC078N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 85 A, 7800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+223.66 грн
10+144.72 грн
100+101.14 грн
500+72.39 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 Infineon-ISC078N12NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bec91036c0ea7
ISC078N12NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 49.6µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.40 грн
10+140.42 грн
100+97.12 грн
500+73.78 грн
1000+68.20 грн
2000+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC078N12NM6ATMA1 Infineon_ISC078N12NM6_DataSheet_v02_00_EN-3398012.pdf
ISC078N12NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.89 грн
10+149.95 грн
100+90.92 грн
500+75.42 грн
1000+72.60 грн
5000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.