Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC079N15NM6ATMA1
ISC079N15NM6ATMA1

ISC079N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_ISC079N15NM6_DataSheet_v02_00_EN-3478099.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.65 грн
10+225.63 грн
25+174.31 грн
100+152.43 грн
250+139.60 грн
500+132.06 грн
1000+121.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC079N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V.

Інші пропозиції ISC079N15NM6ATMA1 за ціною від 120.17 грн до 313.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC079N15NM6ATMA1 ISC079N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC079N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907753460f7058 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.45 грн
10+213.10 грн
100+165.19 грн
500+130.64 грн
1000+121.22 грн
2000+120.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC079N15NM6ATMA1 ISC079N15NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC079N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907753460f7058 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 36A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 77µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.