Продукція > INFINEON > ISC0803NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1

ISC0803NLSATMA1 INFINEON

3437298.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.29 грн
500+74.76 грн
1000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC0803NLSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 43W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC0803NLSATMA1 за ціною від 52.89 грн до 137.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC0803NLSATMA1 ISC0803NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC0803NLS_DataSheet_v02_02_EN-2581255.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.60 грн
10+110.16 грн
100+74.74 грн
500+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0803NLSATMA1 ISC0803NLSATMA1 Виробник : INFINEON 3437298.pdf Description: INFINEON - ISC0803NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.57 грн
10+91.99 грн
100+86.29 грн
500+74.76 грн
1000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0803NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62c8076d93 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC0803NLSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC0803NLS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178fd62c8076d93 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.