Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC080N10NM6ATMA1
ISC080N10NM6ATMA1

ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
214+66.16 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 100W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm.

Інші пропозиції ISC080N10NM6ATMA1 за ціною від 47.65 грн до 194.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+75.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 INFINEON 3624258.pdf Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.81 грн
250+84.70 грн
1000+60.17 грн
3000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.88 грн
145+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.31 грн
10+119.15 грн
100+70.34 грн
500+59.91 грн
1000+53.07 грн
2500+50.18 грн
5000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
10+118.96 грн
100+80.94 грн
500+60.67 грн
1000+55.75 грн
2000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 INFINEON 3624258.pdf Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.88 грн
50+125.81 грн
250+84.70 грн
1000+60.17 грн
3000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 75A; Idm: 13A; 100W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+75.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 3624258.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+125.81 грн
250+84.70 грн
1000+60.17 грн
3000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
99+143.88 грн
145+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_03-EN.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.31 грн
10+119.15 грн
100+70.34 грн
500+59.91 грн
1000+53.07 грн
2500+50.18 грн
5000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.68 грн
10+118.96 грн
100+80.94 грн
500+60.67 грн
1000+55.75 грн
2000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 3624258.pdf
ISC080N10NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 8050 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8050µohm
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+194.88 грн
50+125.81 грн
250+84.70 грн
1000+60.17 грн
3000+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC080N10NM6ATMA1 Infineon-ISC080N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bba32c6cb0211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 75A; Idm: 13A; 100W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8 FL
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+74.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.