ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TDSON-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ISC104N12LM6ATMA1 за ціною від 53.07 грн до 185.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.41 грн
10+105.60 грн
100+79.02 грн
500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 21592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.84 грн
10+118.34 грн
100+71.19 грн
500+56.81 грн
1000+56.10 грн
2500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+155.41 грн
10+105.60 грн
100+79.02 грн
500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 21592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+185.84 грн
10+118.34 грн
100+71.19 грн
500+56.81 грн
1000+56.10 грн
2500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.