Технічний опис ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.
Інші пропозиції ISC104N12LM6ATMA1 за ціною від 51.79 грн до 212.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC104N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 17727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
ISC104N12LM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
ISC104N12LM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.16 грн |
| 25+ | 76.96 грн |
| 100+ | 73.05 грн |
| 250+ | 66.56 грн |
| 500+ | 62.86 грн |
| 1000+ | 61.83 грн |
| 3000+ | 60.80 грн |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 179+ | 79.37 грн |
| 182+ | 78.16 грн |
| 185+ | 76.96 грн |
| 188+ | 73.05 грн |
| 250+ | 66.56 грн |
| 500+ | 62.86 грн |
| 1000+ | 61.83 грн |
| 3000+ | 60.80 грн |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 84.38 грн |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.07 грн |
| 10+ | 109.71 грн |
| 100+ | 74.92 грн |
| 500+ | 56.34 грн |
| 1000+ | 51.85 грн |
| 2000+ | 51.79 грн |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 212.14 грн |
| 10+ | 145.97 грн |
| 100+ | 105.29 грн |
| 500+ | 83.01 грн |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 212.14 грн |
| 98+ | 145.97 грн |
| 135+ | 105.29 грн |
| 500+ | 83.01 грн |
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 17727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC104N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)