Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC104N12LM6ATMA1
ISC104N12LM6ATMA1

ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISC104N12LM6ATMA1 за ціною від 60.13 грн до 150.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.87 грн
10+102.51 грн
100+76.71 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 21592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 INFINEON 4098640.pdf Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 ISC104N12LM6ATMA1 INFINEON 4098640.pdf Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185c27a5faf537b
ISC104N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.87 грн
10+102.51 грн
100+76.71 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 Infineon-ISC104N12LM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISC104N12LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 21592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 4098640.pdf
ISC104N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC104N12LM6ATMA1 4098640.pdf
ISC104N12LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC104N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 63 A, 0.0104 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.