ISC130N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 337.12 грн |
| 10+ | 284.16 грн |
| 100+ | 205.43 грн |
| 500+ | 192.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC130N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ISC130N20NM6ATMA1 за ціною від 169.03 грн до 526.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 3894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC130N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0117 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 8-Pin TSON EP T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 135µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| ISC130N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 88A; Idm: 352A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 242W Case: PG-TSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |