ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 220.41 грн |
| 500+ | 185.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISC151N20NM6ATMA1 за ціною від 147.55 грн до 441.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V |
на замовлення 4912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.1A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| ISC151N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 74A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 200W Case: PG-TSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |