Продукція > INFINEON > ISC151N20NM6ATMA1
ISC151N20NM6ATMA1

ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON


4148568.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+199.03 грн
500+167.80 грн
1000+153.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC151N20NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC151N20NM6ATMA1 за ціною від 153.47 грн до 423.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC151N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3286f5ca0f2c Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.25 грн
10+258.35 грн
100+185.59 грн
500+170.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC151N20NM6_DataSheet_v02_00_EN-3398079.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.93 грн
10+272.33 грн
100+176.68 грн
500+166.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 4148568.pdf Description: INFINEON - ISC151N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.04 грн
10+266.48 грн
100+199.03 грн
500+167.80 грн
1000+153.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc151n20nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC151N20NM6ATMA1 ISC151N20NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC151N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3286f5ca0f2c Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 105µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.