ISC16DP15LMATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 229.67 грн |
| 10+ | 125.53 грн |
| 100+ | 95.43 грн |
| 500+ | 86.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC16DP15LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ISC16DP15LMATMA1 за ціною від 77.61 грн до 248.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC16DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISC16DP15LMATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC16DP15LMATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC16DP15LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.16 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
ISC16DP15LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |