ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies


infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 7025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+43.91 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISC230N10NM6ATMA1 за ціною від 32.80 грн до 67.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.91 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.10 грн
253+55.55 грн
285+49.31 грн
292+46.50 грн
500+38.90 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.38 грн
14+56.10 грн
25+55.55 грн
100+47.55 грн
250+43.06 грн
500+37.35 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.32 грн
211+66.61 грн
238+59.13 грн
255+53.29 грн
1000+45.89 грн
5000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 INFINEON 3624259.pdf Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 ISC230N10NM6ATMA1 INFINEON 3624259.pdf Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+43.91 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
251+56.10 грн
253+55.55 грн
285+49.31 грн
292+46.50 грн
500+38.90 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+61.38 грн
14+56.10 грн
25+55.55 грн
100+47.55 грн
250+43.06 грн
500+37.35 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 infineon-isc230n10nm6-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
209+67.32 грн
211+66.61 грн
238+59.13 грн
255+53.29 грн
1000+45.89 грн
5000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 3624259.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC230N10NM6ATMA1 3624259.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.