ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 45.78 грн |
| 1000+ | 43.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISC230N10NM6ATMA1 за ціною від 28.82 грн до 145.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
на замовлення 145000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package |
на замовлення 7575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISC230N10NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 7104 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ISC230N10NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 45.78 грн |
| 1000+ | 43.24 грн |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 145000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 50.09 грн |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 251+ | 58.49 грн |
| 253+ | 57.92 грн |
| 285+ | 51.41 грн |
| 292+ | 48.48 грн |
| 500+ | 40.56 грн |
| 1000+ | 34.20 грн |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 64.00 грн |
| 14+ | 58.49 грн |
| 25+ | 57.92 грн |
| 100+ | 49.58 грн |
| 250+ | 44.89 грн |
| 500+ | 38.94 грн |
| 1000+ | 34.20 грн |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
OptiMOS™ 6 power MOSFET 100V Normal Level in SuperSO8 package
на замовлення 7575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 209+ | 70.19 грн |
| 211+ | 69.45 грн |
| 238+ | 61.65 грн |
| 255+ | 55.56 грн |
| 1000+ | 47.85 грн |
| 5000+ | 40.39 грн |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 7104 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.71 грн |
| 10+ | 81.07 грн |
| 100+ | 51.76 грн |
| 500+ | 43.03 грн |
| 1000+ | 40.33 грн |
| 2500+ | 37.02 грн |
| 5000+ | 28.82 грн |
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC230N10NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.023 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0193ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)