ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 413+ | 31.48 грн |
| 414+ | 31.41 грн |
| 415+ | 31.33 грн |
| 416+ | 30.14 грн |
| 500+ | 27.84 грн |
| 1000+ | 26.66 грн |
| 3000+ | 26.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISC320N12LM6ATMA1 за ціною від 21.41 грн до 100.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |