ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 413+ | 34.04 грн |
| 414+ | 33.96 грн |
| 415+ | 33.88 грн |
| 416+ | 32.59 грн |
| 500+ | 30.10 грн |
| 1000+ | 28.82 грн |
| 3000+ | 28.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISC320N12LM6ATMA1 за ціною від 23.58 грн до 92.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA Supplier Device Package: SuperSO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V |
на замовлення 4453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC320N12LM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
ISC320N12LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
ISC320N12LM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC320N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 34.12 грн |
| 23+ | 34.04 грн |
| 25+ | 33.96 грн |
| 100+ | 32.67 грн |
| 250+ | 30.17 грн |
| 500+ | 28.89 грн |
| 1000+ | 28.82 грн |
| 3000+ | 28.75 грн |
| ISC320N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 6.4A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 50.51 грн |
| 150000+ | 46.16 грн |
| 225000+ | 42.94 грн |
| ISC320N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.37 грн |
| 10+ | 56.18 грн |
| 100+ | 37.28 грн |
| 500+ | 27.37 грн |
| 1000+ | 24.92 грн |
| 2000+ | 23.58 грн |
| ISC320N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC320N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISC320N12LM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC320N12LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 24 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)