ISC800P06LMATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.27 грн |
| 500+ | 45.33 грн |
| 1000+ | 34.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC800P06LMATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISC800P06LMATMA1 за ціною від 29.98 грн до 122.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V |
на замовлення 4594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISC800P06LMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |