Продукція > INFINEON > ISC800P06LMATMA1
ISC800P06LMATMA1

ISC800P06LMATMA1 INFINEON


4098643.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.16 грн
500+46.85 грн
1000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC800P06LMATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISC800P06LMATMA1 за ціною від 30.24 грн до 121.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc800p06lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+64.49 грн
238+51.47 грн
500+46.82 грн
1000+38.17 грн
2000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc800p06lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+69.84 грн
11+60.49 грн
100+48.27 грн
500+42.34 грн
1000+33.14 грн
2000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC800P06LM_DataSheet_v02_00_EN-3107520.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.05 грн
10+73.50 грн
100+44.75 грн
500+36.22 грн
1000+35.69 грн
2500+34.11 грн
5000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC800P06LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e4c89536f2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.73 грн
10+74.67 грн
100+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : INFINEON 4098643.pdf Description: INFINEON - ISC800P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 19.6 A, 0.08 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.90 грн
11+81.60 грн
100+58.16 грн
500+46.85 грн
1000+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc800p06lm-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC800P06LMATMA1 ISC800P06LMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC800P06LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e4c89536f2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.