ISCH42N04LM7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 200.62 грн |
| 500+ | 161.14 грн |
| 1000+ | 137.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISCH42N04LM7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 541A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ISCH42N04LM7ATMA1 за ціною від 137.13 грн до 344.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISCH42N04LM7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISCH42N04LM7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISCH42N04LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 541 A, 420 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 541A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISCH42N04LM7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 61A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISCH42N04LM7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 61A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ISCH42N04LM7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISCH42N04LM7ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISCH42N04LM7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISCH42N04LM7ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta), 541A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |