ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 219.24 грн |
| 500+ | 207.06 грн |
| 1000+ | 196.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
167 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA, Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1.
Інші пропозиції ISG0614N06NM5HATMA1 за ціною від 133.63 грн до 395.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISG0614N06NM5HATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1 |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ISG0614N06NM5HATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 12149 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| ISG0614N06NM5HATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 368.98 грн |
| 10+ | 235.76 грн |
| 50+ | 184.37 грн |
| 100+ | 157.49 грн |
| 500+ | 138.86 грн |
| ISG0614N06NM5HATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 12149 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.89 грн |
| 10+ | 202.89 грн |
| 100+ | 159.91 грн |
| 500+ | 141.14 грн |
| 3000+ | 133.63 грн |