Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISG0614N06NM5HATMA1
ISG0614N06NM5HATMA1

ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISG0614N06NM5H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d894fa3e04ab0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.50 грн
10+230.13 грн
100+163.79 грн
500+127.15 грн
1000+118.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA, Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1.

Інші пропозиції ISG0614N06NM5HATMA1 за ціною від 130.22 грн до 381.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISG0614N06NM5HATMA1 ISG0614N06NM5HATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISG0614N06NM5H_DataSheet_v02_00_EN-3425225.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.08 грн
10+261.42 грн
100+161.85 грн
500+142.72 грн
1000+137.57 грн
3000+130.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISG0614N06NM5H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d894fa3e04ab0 SP005575180
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0614N06NM5HATMA1 ISG0614N06NM5HATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISG0614N06NM5H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d894fa3e04ab0 Description: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10VITFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 233A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 86µA
Supplier Device Package: PG-VITFN-10-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.