на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 342.49 грн |
| 10+ | 283.43 грн |
| 25+ | 232.12 грн |
| 100+ | 199.35 грн |
| 250+ | 188.43 грн |
| 500+ | 176.82 грн |
| 1000+ | 151.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISG0616N10NM5HSCATMA1 Infineon Technologies
Description: ISG0616N10NM5HSCATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA, Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1.
Інші пропозиції ISG0616N10NM5HSCATMA1 за ціною від 149.59 грн до 320.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISG0616N10NM5HSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: ISG0616N10NM5HSCATMA1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| ISG0616N10NM5HSCATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISG0616N10NM5HSCATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 139A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|