ISK024NE2LM5 INFINEON

Description: INFINEON - ISK024NE2LM5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 55 A, 1900 µohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 11W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 11W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.