| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.82 грн |
| 10+ | 58.75 грн |
| 100+ | 34.79 грн |
| 500+ | 28.72 грн |
| 1000+ | 25.34 грн |
| 3000+ | 23.13 грн |
| 6000+ | 21.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISK036N03LM5AUSA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції ISK036N03LM5AUSA1 за ціною від 26.13 грн до 97.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISK036N03LM5AUSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40VSupplier Device Package: PG-VSON-6-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 81A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ISK036N03LM5AUSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Supplier Device Package: PG-VSON-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: TRENCH <= 40V
Supplier Device Package: PG-VSON-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 97.08 грн |
| 10+ | 59.08 грн |
| 100+ | 39.14 грн |
| 500+ | 28.71 грн |
| 1000+ | 26.13 грн |




