ISL6208IRZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.94 грн |
| 10+ | 96.86 грн |
| 25+ | 91.40 грн |
| 100+ | 73.09 грн |
| 300+ | 68.63 грн |
| 500+ | 60.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL6208IRZ Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - ISL6208IRZ - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, 4Aout, 18ns Verzögerung, QFN-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: QFN, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 2A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 18ns, Betriebstemperatur, max.: 100°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції ISL6208IRZ за ціною від 70.46 грн до 255.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL6208IRZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - ISL6208IRZ - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, 4Aout, 18ns Verzögerung, QFN-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: QFN Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 18ns Betriebstemperatur, max.: 100°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISL6208IRZ | Виробник : Renesas / Intersil |
Gate Drivers VER OF ISL6608IR -40 TO +100 |
на замовлення 3979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISL6208IRZ | Виробник : Intersil |
LEAD-FREE VERSION OF ISL6608IR, -40 TO +100 ISL62 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| ISL6208IRZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; MOSFET gate driver; QFN8; -2÷2A Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Number of channels: 2 Case: QFN8 Operating temperature: -40...100°C Output current: -2...2A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 8ns Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.5...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| ISL6208IRZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; MOSFET gate driver; QFN8; -2÷2A Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Number of channels: 2 Case: QFN8 Operating temperature: -40...100°C Output current: -2...2A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 8ns Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.5...5.5V DC |
товару немає в наявності |