ISL6613AEIBZ-T Renesas / Intersil
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.31 грн |
| 10+ | 262.87 грн |
| 25+ | 216.25 грн |
| 100+ | 187.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL6613AEIBZ-T Renesas / Intersil
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції ISL6613AEIBZ-T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL6613AEIBZ-T | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |