ISL6613AEIBZ-T Renesas
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
176+ | 174.28 грн |
500+ | 165.11 грн |
1000+ | 155.94 грн |
10000+ | 141.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL6613AEIBZ-T Renesas
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції ISL6613AEIBZ-T за ціною від 194.69 грн до 308.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISL6613AEIBZ-T | Виробник : Renesas / Intersil |
![]() |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
ISL6613AEIBZ-T | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |