ISL6613AEIBZ-T Renesas
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 202.89 грн |
| 500+ | 192.21 грн |
| 1000+ | 181.53 грн |
| 10000+ | 164.75 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
176 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL6613AEIBZ-T Renesas
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції ISL6613AEIBZ-T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| ISL6613AEIBZ-T | Renesas / Intersil |
Gate Drivers SYNCH BUCK MSFT HV DRVR 8LD EP -- DISAB |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ISL6613AEIBZ-T |
![]() |
Виробник: Renesas / Intersil
Gate Drivers SYNCH BUCK MSFT HV DRVR 8LD EP -- DISAB
Gate Drivers SYNCH BUCK MSFT HV DRVR 8LD EP -- DISAB
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


