 
ISL6613ECBZ Intersil
 Виробник: Intersil
                                                Виробник: IntersilDescription: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 124+ | 187.19 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL6613ECBZ Intersil
Description: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції ISL6613ECBZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| ISL6613ECBZ | Виробник : INTERSIL |    05+ | на замовлення 7600 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| ISL6613ECBZ | Виробник : INTERSIL |    SOP8 | на замовлення 2215 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
|   | ISL6613ECBZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |  Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10.8V ~ 13.2V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 36 V Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Rise / Fall Time (Typ): 26ns, 18ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1.25A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності |