ISL89163FBEBZ Renesas Electronics America Inc
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.13 грн |
| 10+ | 291.83 грн |
| 25+ | 275.95 грн |
| 100+ | 224.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL89163FBEBZ Renesas Electronics America Inc
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A, Kind of package: tube, Output current: -6...6A, Type of integrated circuit: driver, Impulse rise time: 40ns, Pulse fall time: 40ns, Number of channels: 2, Kind of output: non-inverting, Protection: undervoltage UVP, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Case: SO8-EP, Supply voltage: 4.5...16V DC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції ISL89163FBEBZ за ціною від 143.18 грн до 341.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISL89163FBEBZ | Виробник : Renesas / Intersil |
 Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ISL89163FBEBZ | Виробник : Intersil |
TUBE PACK, 8 LD SO/260 DEGREE CELSIUS/6A PEAK HIGH SPEED POWER MOSFET DRIVE кількість в упаковці: 98 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| ISL89163FBEBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Kind of package: tube Output current: -6...6A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Number of channels: 2 Kind of output: non-inverting Protection: undervoltage UVP Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8-EP Supply voltage: 4.5...16V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| ISL89163FBEBZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Kind of package: tube Output current: -6...6A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Number of channels: 2 Kind of output: non-inverting Protection: undervoltage UVP Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8-EP Supply voltage: 4.5...16V DC |
товар відсутній |